第831章 晶片进展3（1/2）

“第一，纳米片电晶体（gaafet） 的刻蚀控制。

我们对纳米片叠层的精度、柵极环绕的控制，极其不稳定，这是良率波动的主要来源之一。”

“第二，高介电常数金属柵极（hkmg） 的堆叠精度和均匀性。

新材料的热预算和界面態极其敏感，均匀性偏差导致閾值电压（vt）漂移严重。”

“第三，也是最致命的，”他的语气几乎带著一丝绝望。

“极紫外（euv）光刻技术的应用调试。

euv光源的功率、稳定性，以及配套的光刻胶、掩膜版技术，全部受到最严格的限制，获取极其困难，调试进度几乎停滯。

没有稳定可靠的euv光刻，很多关键的精细结构无法实现，良率和性能都无从谈起。”

他指著图表上那个刺眼的数字：

“目前mpw试產的综合良率......仍然在25%-30% 的区间剧烈波动，最低甚至探至18%。

而且，波动没有收敛的趋势。

姚总，这个良率，对於单颗成本就高达数十美元的高端旗舰晶片来说，是商业上无法接受的。”

会议室的温度仿佛瞬间降到了冰点。

25%-30%且不稳定的良率，意味著超过三分之二的晶片是废品，这不仅是成本的灾难，更是量產交付的噩梦。

孟良凡的面色也无比凝重。

他双手交叉支在桌上，身体前倾，沉声道：

“n+1的困境，是基础物理学、材料科学和精密工程极限的综合体现。

这堵墙，靠工艺团队硬撞，代价太大，进度也无法保证。”

他再次將目光投向陈默，这次带著更深的期待和恳求。

“陈总，我们恳请开闢第二战场。

设计端和工具链必须承担更多责任。

现有的eda工具，在应对n+1这样逼近物理极限的工艺时，已经显得力不从心，更別说再往后的n+2工艺了。

我们迫切需要工具链的再次革命。”

他语速加快，列举出痛点：

“我们需要能进行原子级器件建模的工具，能精確模擬掺杂原子分布对性能的影响；

我们需要多物理场仿真平台，能耦合计算热、电、应力之间的相互效应；

我们需要更强大的计算光刻（opc） 软体，以补偿euv光刻带来的复杂光学邻近效应；

我们还需要基於大数据的良率预测与优化系统，能在设计阶段就预测出晶片的薄弱环节。

否则，我们设计出来的东西，就像是建立在流沙上的城堡，根本没法在现实的、不完美的工艺里被可靠地製造出来！”

这番尖锐而专业的需求，將所有压力和责任清晰地传递到了陈默和他的eda团队身上。

面对孟良凡几乎一波又一波的挑战和全场聚焦的压力，陈默没有表现出丝毫的慌乱或防御姿態。

他缓缓坐直身体，目光平静地迎向孟良凡，然后扫过全场，最后落在自己面前的电脑上。

“孟教授提出的问题，正是我们eda產品线过去一年，投入超过70%研发资源全力攻坚的方向。

也是我们理解的，打破僵局的关键。”