第82章 双管齐下，继续推进硅电晶体研製工作！（1/2）

第82章 双管齐下，继续推进硅电晶体研製工作！

次日，早。

江阳刚刚来到半导体实验室。

京机厂那边。

就送来了j5060通过最终测试的消息。

至此。

他们终於拥有了，能够完成製备，且满足光刻要求硅片的设备。

会议室內。

王寿吾正在对这段时间的研究成果，进行总结。

除开j5060外。

採用氧化铝研磨膏+铸铁拋光碟，以及化学腐蚀的方式。

完成了化学机械拋光。

並利用两台显微镜加一个紫外曝光灯，搭建了“土光刻机”。

虽说只能勉强实现10微米的线宽。

但也能满足最低图形解析度的需求。

当然。

也不是所有的研究都一帆风顺。

王寿吾道：

“光刻和扩散，是我们现在面临的两大难题。”

“手工光刻误差太大。”

“而开关扩散的掺杂，不仅存在波动，同一电晶体上的閾值电压差异——””

他说完后。

眾人陷入沉思。

江阳也没有著急开口，而是等待眾人討论。

毕竟他不能什么都解决。

没过多久。

很快便有人开口，道：

“我认为，可以尝试从光刻胶上取得突破。”

听到他的话。

所有人都下意识地看向江阳。

光刻胶这个概念。

还是江阳提出来的。

在此之前，他们都是以合金法和台面工艺製作电晶体，无需光刻胶。

王寿吾頜首道：

“汤教授，您请继续。”

闻言，汤定远道：

“江教授为我们介绍过光刻胶的作用。”

“它直接决定。”

“集成电路的最小特徵尺寸、良率和工艺复杂度—”

他说完后。

迟疑了片刻。

接下来的话，等於是在反对江阳提出的方案。

这时，江阳笑道：

“汤教授，如果您有更好的方法，但说无妨。”

汤定远点了点头，道：

“那我就直说了。”

“根据我的研究，使用天然沥青+溶剂，解析度极低。”

“最后很大概率无法满足我们的研製需要—”

沥青胶是负性光刻。

紫外线引发交联反应，形成三维网格结构后。

曝光区域变得难溶於溶剂，且会被溶剂渗透，引发溶胀。

虽说面前也能实现光刻。

但结果几乎是可以预见的不如人意。

汤定远说完后，又道：

“原本我也不觉得有问题。”

“毕竟光刻对我们所有人来说，都是个新东西。”

“但江教授的一句话，给了我启发。”

“如果让曝光区域发生光解反应，效果会不会更好——”

听完汤定远的想法后，眾人陷入沉思。

江阳面色不变。

心中却惊讶不已，暗道：

“不愧其中，能一句话中想出这么多的东西。”

汤定远，华国半导体学科创始人之一。

还是红外技术研究的奠基人。

曾以三份书信，重塑华国红外事业的战略眼光，研究能力毋庸置疑。

这时。

下面一个和汤定远差不多年纪的中年男人，道：

“汤教授，您说得確实有道理。”

“但沥青胶我们好歹知道是什么。”