第661章 光刻机里的DPP方案（2/2）

一切所缺的不过是时间而已。

每个环节进步一点，汇合集合就是巨大的进步。

……

……

两天后，陈平江已经从沪上赶往了祖国的最北端。

在哈工大的校园里，陈平江见到了赵永鹏。

“哈哈，陈董，虽是初次见面，却已经神交已久啊。”

赵永鹏亲热的同陈平江握手。

陈平江笑眯眯道：“赵教授不必客气叫我小陈就好，今天我过来是特意对您的卓越贡献表示感谢的。”

陈平江说不用客气，赵永鹏哪里敢真的叫他小陈，只当是客套话。

“军功章也应当有你的一半，如果不是之前您的资助和多方面协助，我们也不会如此顺利。”赵永鹏招招手，“我们去实验室看看。”

陈平江来到哈工大，之前已经和校方打过招呼，希望低调处理，这才没有引起围观。

这次过来完全是因为赵永鹏团队顺利研发出“放电等离子体极紫外光刻光源”的缘故。

这个项目，陈平江已经跟了好几年，前后资助不下2000万，并且表示不要任何知识产权，如今终于到了开结果的时候。

宽敞明亮的实验室内。

陈平江身着无尘服，戴着口罩仔细听着赵永鹏介绍。

“在演示之前，我有必要说下。这台机器的光源焦点功率只有43瓦，与asml的最近两代euv光源250-500瓦，差距还是巨大的，目前只能称之为实验室阶段，不过我们团队有信心，在两年内将功率提升到200瓦。”

陈平江点了点头，表示理解。

毕竟在euv中光源也只是一部分，还需要其他十万个零件一起协同配合。

但不管怎么说，也搞定了最关键的一个部分。

在当前的euv光刻机技术上，存在两种光刻机技术路线。

一种是dpp方案（放电产生等离子体），一种是lpp方案（激光产生等离子体）。

当前全球唯一一家能生产euv光刻机，垄断了全球高端光刻机市场的公司——荷兰asml公司，采用的就是lpp方案。

哈工大的这个“放电等离子体极紫外光刻光源”，从名字上就能看出它走的是dpp方案。

dpp方案最大的一个问题就是光源的焦点功率不足。

光刻机的光源是用来烧石头（单晶硅）的，功率不足自然就烧不动，也就没法蚀刻出芯片。

好在，因为专利的限制，当前中国走dpp方案的euv光刻机研究，是要比走lpp方案容易的。

虽然当前dpp方案还无法商用，暂且无法用在euv光刻机身上，但dpp方案技术是会进步的。

dpp方案本身优势也不小，比如光源稳定、对清洁度要求低，以及成本更低。

并且，陈平江也不会将鸡蛋放在一个篮子里。

除了哈工大这头，xx光电所和沪上某家研究所都有资助，大家进度不一，路线也不同。

任何一方取得最终突破，都会大大提前国产euv光刻机问世的时间。(本章完)